李登峰老师的个人简介


李登峰:男,博士,生于1977年3月,四川阆中人,教授,凝聚态物理和光学工程方向的硕士生导师,重庆邮电大学学术带头人。目前研究兴趣在半导体纳米材料和器件的p型和n型掺杂、电学性质以及半导体器件的热稳定性理论研究。2003年硕士毕业至今在重庆邮电大学工作。 
联系方式:lidf@cqupt.edu.cn, 023-62471346 
一、教育和工作经历: 
1996-2000年,淮北师范大学,物理教育专业,理学学士。 
2000-2003年,福建师范大学,光学专业,理学硕士,光纤通信专业。 
2005-2008年,电子科技大学,光学专业,理学博士,从事半导体材料的力学、电学、磁学和光学性质的第一性原理研究。(2007年破格评为副教授职称) 
2010-2011年,清华大学,高级访问学者,从事半导体器件的热稳定性理论研究。(2011年破格评为教授职称) 
二、教学经历 
讲授过本科生课程《大学物理实验》实验与理论课、《大学物理》(上、下)(中文和英文)。 
研究生课程《固体光学》。 
三、科学研究 
3.1科研论文 
1.    D.F.Li, B.Deng, S.W.Xue, Z.G.Wang and F.Gao,Dual-donor codoping approach to realize low-resistance n-type ZnS Semiconductor[J], Applied Physics Letters, 2011, 99(5):052109. (SCI: 803XV) 
2.    D.F.Li, Z.G.Wang and F.Gao,First-principles study of the electronic properties of wurtzite, zinc-blende, and twinned InP nanowires[J], Nanotechnology, 2010, 21:505709. (SCI:685JH) 
3.    D.F. Li, X.T. Zu,H.Y. Xiao, K. Z. Liu. First-principles Study of Indium Adsorption on GaP (001)(2×1) Surface,Journal of Alloys and Compounds,469(2009) 557-561 (SCI:393YI) 
4.    D.F. Li, H.Y. Xiao, K. Z. Liu, H.N. Dong, X.T. Zu,First-principles study of GaP(001) surfaces,Journal of Alloys and Compounds,440(2007):229-235,(SCI: 189ZU) 
5.    D.F.Li, B.L.Li, H.Y.Xiao, Z.G.Wang, H.N.Dong and X.T.Zu.Structural and electronic properties of 0.5 ML sulfur adsorbed on the GaP(001) surface[J], Journal of Material Science, 2011, 46:1635. (SCI: 711ZY) 
6.    D.F. Li, H.Y. Xiao, X.T. Zu, H.N. Dong, First-principles study of Sn adsorption on Ni(100), (110) and (111) surfaces,Materials Science & Engineering A. 460-461(2007):50-57 (SCI: 171HJ) 
7.    D.F.Li, Z.C.Guo, H.Y.Xiao, X.T.Zu and F.Gao,Stability of S and Se induced reconstructions on GaP(001)(2×1) surface[J], Physica B, 2010, 405:4262. (SCI: 660UF) 
8.    D.F. Li, H.Y. Xiao, X.T. Zu, H.N. Dong, First-principles study of the Ni(111)( × )R300-Pb surface, Physica B, 392(2007):217-220. (SCI:154CK) 
9.    D.F.Li, Z.C.Guo, B.L.Li, H.N.Dong and H.Y.Xiao.Structural and Electronic Properties of Sulfur-Passivated InAs(001) (2×6) Surface[J], Chinese Physics Letters, 2011, 28(8): 086802. (SCI: 810BL) 
10.    D.F.Li, B.L.Li, H.Y.Xiao and H.N.Dong. Electronic structure of twinned ZnS nanowires[J], Chinese Physics B, 2011, 20(6):067101. (SCI: 774LV) 
11.    D.F.Li, H.Y.Xiao, S.W.Xue, L.Yang and X.T.Zu.Surface structure and electronic property of InP(001)-(2×1)S surface: A first-principles study[J], Chinese Physics Letters, 2010, 27(4):046802. (SCI: 577EC) 
12.    D.F.Li and Z.G.Wang,Tensile behavior of amorphous layer coated silicon carbide nanowires: an atomic simulation[J], Modern Physics Letters B, 2011, 25(5):325. (SCI: 706NI) 
13.    D.F.Li, H.Y.Xiao, X.T.Zu, H.N.Dong and F.Gao, Structural, electronic and magnetic properties of the Mn-Ni(110)c (2×2) surface alloy[J], Chinese Physics B, 2010, 19(8):087102. (SCI: 636MX) 
14.    D.F.Li, Z.C.Guo,B.Deng, H.N.Dong and F.Gao,Surface structure and electronic property of sulfur passivation of InAs(001) surface: A first-principles study, Materials Science Forum, 2011, 689:220. (EI: 20112814125767) 
15.    D.F. Li,H.N. Dong, X.T. Zu, Y.S. Qiu. A Scalar Coupled-Mode Theory with Birefringence Coupling Correction for the Anisotropic Waveguide,Journal of Modern Physics B,2007,21(2):159-168,SCI :231NG(硕士期间的成果) 
16.    Qiu YiShen, Li Dengfeng et al. Rigorous vectorialcoupled-mode theory for the isotropic waveguide with anisotropic disturbance,Journal of  Optical  Society  of  the  Americal. B,23(1):120-125,(2006), SCI:001JH. (硕士期间的成果) 
3.2 承担科研项目情况: 
1)    低阻硫化锌n型和p型掺杂及高效同质结紫外 LED 研究,编号:2012jjB50010,2012-2014,重庆市自然科学基金重点项目,,主持。 
2)    基于近代宽禁带半导体共掺理论对低阻N型ZnS掺杂性能研究。国家自然科学基金理论物理专项基金,编号:10947102,2010.1-2010.12。主持。 
3)    稀土发光材料双光子跃迁的多体微扰理论,国家自然科学基金,2005-2007年,主研,排名第二,编号:10404040 
4)    宽禁带半导体氮化镓及其纳米结构的性能研究,重庆市教委科学技术研究项目,2009-2010,编号:KJ090503。主持 
5)    磷化镓表面吸附特性的实验和理论研究,重庆市自然科学基金,2007-2009年,主持, 编号:2007BB4385 

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